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我依稀记得,在过去,为了安全起见,打印完照片后,我们小心翼翼地把胶片包在一个安全的地方,以免被剪切后找不到原始照片;或者我们将播放列表中的音乐转换成音频cd,等等。随着科学技术的不断进步,这些旧的数据存储方式已经被存储卡、u盘和固态硬盘等新技术产品所取代。

作为行业内的领先品牌,西方数码一直在闪存领域频繁行动。基于当前海量和多样化数据的趋势,它最近宣布推出一种新的先进的嵌入式闪存驱动器(efd)。据报道,当该产品用于智能手机和瘦计算设备时,它可以加速数据中心的大量应用,包括增强现实、高分辨率视频捕获和丰富的社交媒体体验。当然,也有新兴的终端人工智能和物联网体验。

现场,对位法研究公司智能设备与生态系统研究总监严占梦先生分析了nand市场的现状,并提出了两个要点:

1.nand目前在两个方面发展。首先,它正在从2d与非门变成3d与非门。毫无疑问,3d nand可以承载更大的存储容量,并将在2028年占据全球市场近一半的份额。此外,ufs将于明年在中低端市场逐步采用,tlc将扩展到终端市场。

其次,由于4g、存储版本和高分辨率的显示屏,dram未来将大幅增长。

闫占梦表示:据估计,到2018年底,全球每部智能手机的平均存储容量将攀升至60gb以上,这将支持设备上人工智能和增强现实带来的日益丰富的多媒体内容和数据驱动体验。这推动了我们向先进的3d nand嵌入式闪存解决方案的发展,从而进一步提升了这些丰富的体验。

西方数字嵌入式与集成解决方案(eis)产品市场管理总监包女士分析了nand的发展过程和当前存储市场的强劲需求。目前,5g、人工智能和机器学习进一步成熟了存储市场,未来存储必将呈现增长趋势。

正如鲍所说,随着5g、ai、机器学习等技术的不断进步,存储市场的需求也在逐渐增加。

在新闻发布会上,鲍女士还谈到了过去一年左右仓储市场供不应求的主要原因。首先,在闪存的竞争中,硬盘逐渐转变为固态硬盘;;第二,技术竞争,2d与非门转向3 D与非门;第三,许多手机制造商会提前备货。

对于未来,鲍提到了tlc、mlc和qlc在当今移动互联网时代的关系。在3d与非门的趋势下,mlc颗粒已经转化为tlc颗粒,而qlc属于未来,主要制造商将继续投资这项技术,层数将逐步增加。

这次发布的两个产品是inand 8521嵌入式闪存驱动器和inand 7550嵌入式闪存驱动器,两者都有64层。

其中,8521嵌入式闪存盘是专门为需要使用大量数据的用户设计的,采用ufs 2.1接口和西方数码新的第五代smartslc技术。与该公司的上一代智能手机和移动解决方案以及用于旗舰智能手机的7232嵌入式闪存驱动器相比,这款智能手机和8521的顺序写入速度是1的两倍,随机写入速度是2的10倍。通过快速智能地响应用户的应用性能要求,它使用户能够快速玩虚拟现实游戏和下载高清电影。

此外,inand 7550嵌入式闪存驱动器可帮助移动设备制造商构建具有足够存储容量/0/和高性价比的智能手机和计算设备,以满足消费者不断增长的存储需求,并提供快速而有吸引力的应用体验。它基于e.mmc 5.1规范,是一款基于Western Digital广泛使用的e.mmc接口的高性能嵌入式解决方案,可提供高达260 mb/ s的顺序写入性能和20k iops和15 K IOPS的随机读/写性能。

标题:西部数据推出嵌入式闪存盘 包继红:5G、AI将进一步推动存储市场需求

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